BSP123 |
RFQ for BSP123 |
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| Technical/Catalog Information | BSP123E6327T |
| Vendor | Infineon Technologies |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Mounting Type | Surface Mount |
| FET Polarity | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 370mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 370mA, 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 70pF @ 25V |
| Power - Max | 1.79W |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 2.4nC @ 10V |
| Package / Case | SOT-223, SC-73, TO-261 (3 Leads + Tab) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Lead Free Status | Contains Lead |
| RoHS Status | RoHS Non-Compliant |
| Other Names | BSP123E6327T BSP123E6327T BSP123XTINTR ND BSP123XTINTRND BSP123XTINTR |
| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| BSP123 | - | SOT-223-3 | 08+ |
Features |
| · N-Channel· Enhancement mode· Logic Level· dv/dt rated |
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Parameter |
Symbol |
Value |
Unit | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Continuous drain current TA=25° C TA=70°C |
ID |
0.37 |
A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Pulsed drain current TA=25°C |
I D puls |
1.48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Reverse diode dv/dt |
dv/dt |
6 |
kV/s | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Gate source voltage |
V GS |
± 20 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ESD sensitivity (HBM) as per |
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Class 1 |
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Power dissipation TA=25°C |
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